Longsys lanza memoria DDR5 y publica datos de prueba

Tecnología marzo 18, 2021
Longsys Electronics lanza el módulo de memoria Longsys DDR5 (ES1). La compañía lo ha hecho para mantenerse al día con el desarrollo de tecnologías de almacenamiento, para cumplir con las expectativas de los profesionales y usuarios de la industria con respecto al desarrollo futuro de tecnología de productos y para brindar más posibilidades para el futuro de las aplicaciones de la industria del almacenamiento. Además, FORESEE de Longsys, una marca de almacenamiento técnico, y Lexar, una marca de almacenamiento para bienes de consumo de alta gama, también brindarán un sólido respaldo en sus principales áreas de aplicación.

La DDR5 recién lanzada incluye los prototipos de dos nuevos productos de arquitectura: el 1-Rank x8, y el PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC estándar de 2-Rank x8. En comparación con DDR4, DDR5 cuenta con una función y un rendimiento significativamente mejorados.

Las pruebas de datos exhaustivas ilustran un rendimiento estable y superior
Después de años de acumulación concentrada, Longsys DRAM R&D tomó la iniciativa en lo que respecta a invertir en tecnologías de prueba de productos DDR5 de nueva generación. Los datos de prueba seleccionados se han revelado al público por primera vez. La prueba que se presenta utilizó la placa de desarrollo del Intel AlderLake-S ADP-S CRB y el módulo de memoria del Longsys DDR5 32 GB en el sistema operativo Windows 10 Pro x64. Los datos reales de DDR5 se muestran en dos piezas de software ampliamente conocidas: Ludashi y AIDA64.

(BIOS indica que la nueva arquitectura DDR5 adopta dos canales de 32 bits completamente independientes).

  • Datos de prueba de Ludashi: se presenta la configuración del hardware y la memoria se identifica como Longsys. En la prueba de Ludashi, el Longsys DDR5 32 GB obtuvo una puntuación de más de 190.000.
  • Datos de la prueba AIDA64 La prueba asigna puntuaciones para el rendimiento de lectura / escritura / copia / latencia del Longsys DDR5 32 GB. Para resaltar la mejora en el rendimiento, se proporcionan datos de prueba DDR4 para comparar. Los datos muestran que el rendimiento del Longsys DDR5 ha mejorado a pasos agigantados.

Los indicadores principales revelan el poder de la nueva tecnología Longsys DDR5

Capacidad de corrección de errores agregada
Además de optimizar la capacidad de computación del kernel DRAM de la DDR5, Longsys DDR5 agrega un código de corrección de errores (ECC) incorporado para implementar completamente la corrección de errores de datos, mejorar aún más la integridad de los datos, aliviar la carga que representa la corrección de errores del sistema y hacer un uso completo del eficiente mecanismo de lectura / escritura DRAM.

Se agregó el modo de captación previa de 16 n
Al usar el DDR4 como base, el BL16 duplica la concurrencia de memoria del Longsys DDR5 para transmitir datos de manera completa y eficiente. Esta arquitectura DDR5 DIMM adopta dos canales de 32 bits completamente independientes para mejorar la concurrencia y duplicar los canales de memoria disponibles en el sistema.

Modo de recepción de extremo a extremo reforzado
DQ / DQS / DM continúan utilizando la función ODT en la aplicación de la nueva tecnología DDR5. Las señales CA y CS agregadas también usan ODT. Como resultado, la memoria Longsys DDR5 reduce aún más el efecto de interferencia de reflexión de los pulsos de señal, produciendo una streaming de señal más pura.

Grupos de bancos dobles DDR5
La memoria DDR5 duplica el número de grupos de bancos y mantiene sin cambios el número de bancos en cada grupo. Longsys DDR5 BG proporciona menos latencia de acceso, duplica la eficiencia general del sistema y permite que se abran más páginas simultáneamente.

MISMO BANCO Modo de actualización
De acuerdo con el estándar, Longsys DDR5 ha actualizado una nueva función: SAME-BANK Refresh (actualización sincrónica). Este comando puede actualizar un banco en cada BG mientras simultáneamente mantiene abiertos todos los demás bancos para continuar con el funcionamiento normal.

Módulo de memoria FORESEE DDR5 (ES1)
La innovación y el avance continuos de los escenarios de aplicación futuros impondrán requisitos más estrictos sobre las tecnologías de almacenamiento, además de acelerar en gran medida el proceso de desarrollo de DDR5. Las plataformas principales están presionando rápidamente para obtener soporte DDR5. Los informes muestran que se espera que Intel lance una plataforma compatible con DDR5 en el tercer trimestre de este año. Las fuerzas que impulsan el mercado de la memoria DRAM para actualizar a DDR5 provienen de aplicaciones profesionales que tienen una gran demanda de ancho de banda. Se espera que los servidores, la computación en la nube, los centros de datos y las ordenadores de alto rendimiento sean campos de aplicación clave para la implementación. Esta iteración proporcionará a los clientes de la industria soluciones de memoria superiores.

Módulo de memoria Lexar DDR5 (ES1)
Con una gran cantidad de capital global que ingresa al mercado de los deportes electrónicos, la industria de los deportes electrónicos ha madurado y se ha vuelto cada vez más popular. Por lo tanto, los jugadores buscan un mejor rendimiento cuando se trata de accesorios de computadora como la memoria. La aparición de Lexar DDR5 no solo proporcionará a los jugadores de deportes electrónicos una experiencia de juego más fluida, sino que también impulsará el desarrollo sostenible de la industria de los deportes electrónicos. Lexar DDR5 también puede mejorar la eficiencia de la oficina y dejar a los usuarios de cuello blanco con más tiempo para crear, especialmente diseñadores, editores y otras ocupaciones.

Conclusión
Aunque Longsys llegó tarde en el juego con nuestra línea de productos de memoria, gracias a nuestros más de 20 años de experiencia técnica en la industria del almacenamiento y nuestra determinación de crear productos de almacenamiento de alta calidad, nos hemos vuelto cada vez más valientes a lo largo de nuestro viaje de innovación tecnológica. Al 12 de marzo de 2021, Longsys ha solicitado un total de 838 patentes, incluidas 178 solicitudes de patentes en el extranjero; 411 patentes válidas autorizadas y mantenidas, incluidas 83 patentes válidas autorizadas y mantenidas en el extranjero; 65 derechos de autor del software. Longsys concede gran importancia a la protección de la propiedad intelectual, al mismo tiempo que mantiene un firme control sobre la innovación independiente.

Este año, la línea de productos de memoria Longsys continuará mejorando y brindando tanto especificaciones de productos DDR5 como servicios técnicos para ayudar a los clientes de la industria y los usuarios finales a invertir en DDR5 en escenarios de aplicaciones futuros, dando así algo de estilo al ecosistema de almacenamiento.