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LPDDR5T: SK Hynix dispara el turbo DRAM de baja potencia

LPDDR5T: SK Hynix dispara el turbo DRAM de baja potencia
Imagen: SK Hynix

A X le sigue T. SK Hynix acelera la memoria LPDDR5 a 9600 MT/s y ya no la llama LPDDR5X, sino LPDDR5T. La «T» significa Turbo. El rendimiento aumenta un 13 % en comparación con LPDDR5X con hasta 8533 MT/s.

El siguiente nivel en RAM de bajo consumo

LPDDR significa Low-Power Double Data Rate y es una variante de ahorro de energía de SDRAM que sirve como memoria principal para dispositivos móviles. A LPDDR5 con 6400 MT/s le siguió en 2021 la próxima actualización de velocidad LPDDR5X con un máximo de 8533 MT/s. Incluso antes de que aparezca LPDDR6, SK Hynix ahora impulsa LPDDR5T con 9600 MT/s.

Queda por ver si este también será un nuevo estándar JEDEC. Hasta el momento, el comité responsable de los estándares de memoria no ha hecho ningún anuncio de este tipo. Sin embargo, el SK Hynix LPDDR5T debe seguir funcionando en el rango especificado por JEDEC de 1,01 voltios a 1,12 voltios en el voltaje de funcionamiento.

Aunque LPDDR5X con 8533 MT/s ya se adoptó en el verano de 2021, esta memoria no salió al mercado hasta noviembre de 2022. Es por eso que SK Hynix ahora dice que en solo dos meses puede volver a superar esta clase y tomar la delantera en el mercado en este sentido.

Las muestras con 16 GB están listas

Los clientes empresariales de SK Hynix ya deberían recibir muestras del LPDDR5T. Se trata de paquetes multichip con 16 GB de capacidad de almacenamiento. Se dice que esta combinación de múltiples chips logra un rendimiento de 77 GB/s. La memoria se puede usar no solo para smartphones de gama alta, sino también para las áreas de inteligencia artificial, aprendizaje automático y AR/VR.

Producción en serie en la segunda mitad del año

Sin embargo, aún pasará un tiempo antes de que se lance al mercado, porque la producción en masa del LPDDR5T en SK Hynix no está programada para comenzar hasta la segunda mitad de 2023. Para ello se utiliza un proceso «1anm». Esto significa la cuarta generación del proceso de 10 nm. se volverá a usar Puerta de metal de alto K (HKMG).

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