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Netac inicia el proceso de investigación y desarrollo para la memoria DDR5 de 10 GHz

Netac inicia el proceso de investigación y desarrollo de la memoria DDR5 de 10 GHz
Netac, una empresa china con sede en Shenzen que afirma ser el inventor de la unidad flash USB, ha iniciado el proceso de investigación y desarrollo de módulos de memoria DDR5 que superarán a todo el mercado. Se rumorea que Netac ha iniciado el desarrollo de la memoria DDR5 que tendrá una frecuencia de más de 10.000 MHz. Si bien la especificación JEDEC señala que el rango de frecuencia DDR5 está entre 4800-8400 MHz, los fabricantes siempre pueden revisar las especificaciones oficiales. Dado que Netac es un jugador relativamente nuevo en el espacio de memoria de PC, nos preguntamos cómo planea la compañía ejecutar sus planes.

Una memoria DDR5 de 10 GHz requeriría un voltaje muy alto para funcionar, lo que significa una alta salida de calor. Sabemos que los chips DDR5 pueden funcionar a 2.6 V, según T-FORCE, que probó una configuración de este tipo anteriormente. El siguiente problema potencial sería una plataforma que pudiera manejar memoria DDR5 de 10 GHz, sin embargo, para cuando tengamos esta memoria en nuestras manos, las plataformas estarán lo suficientemente maduras para manejar RAM de alta velocidad. El primer lote de memoria DDR5 nueva que se envió a Netac fueron los módulos Z9ZSB de Micron, que son módulos de memoria 2Gx8, CL40. Se fabrican en el nodo de fabricación de memoria de 1znm que utiliza Micron. Queda por ver con qué terminamos y si Netac cumple su promesa.

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