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Samsung demuestra un chip MBCFET de 256 Gb y 3 nm en ISSCC 2021

Samsung demuestra un chip MBCFET de 256 Gb y 3 nm en ISSCC 2021
Durante la IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Samsung Foundry ha presentado un nuevo paso hacia nodos más pequeños y eficientes. El nuevo chip que se presentó es un chip de memoria de 256 Gb, basado en tecnología SRAM. Sin embargo, todo eso no suena interesante, hasta que mencionamos la tecnología que está detrás. Samsung ha fabricado por primera vez un chip utilizando la tecnología de transistor de efecto de campo gate-all-around (GAAFET) de la compañía en el nodo semiconductor de 3 nm. Formalmente, hay dos tipos de tecnología GAAFET: la GAAFET regular que usa nanocables como aletas del transistor y MBCFET (FET de canal de puentes múltiples) que usa aletas más gruesas que vienen en forma de nanohoja.

Samsung ha demostrado el primer chip SRAM que utiliza la tecnología MBCFET en la actualidad. El chip en cuestión es un chip de 256 Gb con un área de 56 mm². El logro del que se enorgullece Samsung es que el chip usa 230 mV menos de energía para las escrituras, en comparación con el enfoque estándar, ya que los transistores MBCFET permiten a la compañía tener muchas técnicas diferentes de ahorro de energía. Se espera que el nuevo proceso MBCFET de 3 nm entre en producción de alto volumen en algún momento de 2022, sin embargo, aún no hemos visto demostraciones de chips lógicos además de SRAM como vemos hoy. No obstante, incluso la demostración de SRAM es un gran progreso, y estamos ansiosos por ver lo que la empresa logra construir con la nueva tecnología.

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