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Samsung presenta una memoria DDR5 increíblemente rápida con capacidades de 512 GB y velocidades de 7200 Mbps para centros de datos

A HotChips 33, Samsung reveló que ha desarrollado el primer módulo de memoria DDR5 de 512 GB de la industria que funciona a velocidades de hasta 7,2 Gbps.

Samsung presenta módulos de memoria increíblemente rápidos DDR5-7200 con capacidades de 512 GB, que entrarán en producción en masa a finales de este año

La solución de memoria DDR5 propuesta por Samsung mejora con respecto a DDR4 en los siguientes cuatro aspectos: rendimiento, velocidad, capacidad y potencia. Como señaló Samsung, existe una demanda continua de mayor capacidad y rendimiento en el segmento de centros de datos. Con DDR5 DRAM, Samsung está llevando las cosas al siguiente nivel.

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Samsung ha desarrollado la última iteración de módulos de memoria DDR5 para el segmento de centros de datos que cuenta con una capacidad de 512 GB. Esto se logra mediante la implementación de un diseño de DRAM de 8 pilas que presenta una pila TSV (Through-Silicon-Vias) de 8 Hi. La pila mide 1.0 mm de alto y hay un total de 20 pilas en el módulo de memoria que están separadas en dos canales principales. Las pilas DDR5 TSV también reducen el espacio entre troqueles en un 40% mediante una técnica de manipulación de obleas delgadas. También hay tecnologías clave implementadas, como la interconexión sin errores para los TSV y una mejor capacidad de enfriamiento con una impedancia de flujo de aire más baja.

Samsung también está promocionando las velocidades de memoria más rápidas con DDR5 que alcanza los 7200 Mbps a un voltaje de 1.1V. Las mejoras generales incluyen un rendimiento un 40% más alto, velocidades 2.2 veces más rápidas, el doble de capacidad de memoria, todo a 0.92 veces el voltaje de DDR4. En comparación con DDR4, DDR5 proporciona un 18% más de eficiencia de bus. La mayor eficiencia se logra a través de PMIC (Power Management In-Chip). PMIC reduce la nariz para la operación de bajo voltaje y Samsung también está utilizando un proceso de puerta de metal High-K que es el primero para EDP (procesamiento electrónico de datos) DRAM.

Algunas características de la memoria del centro de datos también incluyen ECC en matriz, una tasa de error de bits mejorada que conduce a un procesamiento de datos más confiable y seguro. Samsung afirma que no se detendrá en 512 GB DDR5. También han insinuado módulos de memoria DDR5 con capacidad de Terabyte para servidores nextgen y esperan que DDR5 sea el estándar de computación convencional para 2023-2024.

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